2018-06-06 10:20:54
據(jù)悉，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所突破了大直徑SiC生長(zhǎng)的溫場(chǎng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長(zhǎng)爐高極限真空、低背景漏率生長(zhǎng)爐設(shè)計(jì)制造及小批量生產(chǎn)；還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術(shù)、粒度控制技術(shù)、晶型控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn)。（科技日?qǐng)?bào)）
特別提醒：如果我們使用了您的圖片，請(qǐng)作者與本站聯(lián)系索取稿酬。如您不希望作品出現(xiàn)在本站，可聯(lián)系我們要求撤下您的作品。
歡迎關(guān)注每日經(jīng)濟(jì)新聞APP
Copyright ? 2025 每日經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)社版權(quán)所有，未經(jīng)許可不得轉(zhuǎn)載使用，違者必究。
廣告熱線? 北京: 010-57613265，?上海: 021-61283008，?廣州: 020-84201861，?深圳: 0755-83520159，?成都: 028-86512112
