每經(jīng)記者｜楊煜    每經(jīng)編輯｜陳俊杰    

9月12日晚間，拓荊科技（688072.SH，股價176.47元，市值493.64億元）宣布，擬與多家外部投資者對控股子公司拓荊鍵科（海寧）半導體設(shè)備有限公司（以下簡稱拓荊鍵科）增資。

其中，由大基金三期持股99.9%的國投集新（北京）股權(quán)投資基金（有限合伙）（以下簡稱國投集新）也出現(xiàn)在增資方名單中，并將在增資完成后成為拓荊鍵科第二大股東。

據(jù)天眼查，截至目前，國投集新尚無對外投資，大基金三期持股的三家公司也均為投資平臺，拓荊鍵科或?qū)⒊蔀榇蠡鹑谕断虻氖讉€半導體產(chǎn)業(yè)項目。

與此同時，拓荊科技還披露一項46億元規(guī)模的定增預案，募投項目包括高端半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目、前沿技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)項目以及補充流動資金。

拓荊科技子公司獲大基金三期青睞

拓荊科技業(yè)務(wù)范圍屬于高端半導體專用設(shè)備領(lǐng)域，主要研發(fā)、生產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備和應用于三維集成領(lǐng)域的先進鍵合設(shè)備及配套量檢測設(shè)備（以下統(tǒng)稱三維集成設(shè)備）。其中，拓荊鍵科聚焦三維集成設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應用。

據(jù)公司年報介紹，隨著“后摩爾時代”來臨，芯片制程持續(xù)縮小并接近物理極限，單純依賴平面工藝極限已無法實現(xiàn)性能迭代，技術(shù)路徑逐步轉(zhuǎn)向新的架構(gòu)設(shè)計及芯片堆疊方式。

三維集成技術(shù)則是這一技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展趨勢的關(guān)鍵驅(qū)動力，而先進鍵合設(shè)備憑借其突破性技術(shù)優(yōu)勢成為三維集成技術(shù)領(lǐng)域的核心設(shè)備。

不過，從業(yè)務(wù)規(guī)模來看，拓荊鍵科仍處于發(fā)展早期。2025年上半年，拓荊科技整體營收約為19.54億元，拓荊鍵科僅實現(xiàn)營收114.55萬元，凈虧損3746.76萬元。

此次增資目的即是進一步推動拓荊鍵科在三維集成設(shè)備領(lǐng)域的迅速發(fā)展。

公告顯示，共有6家主體參與此次增資。其中，拓荊科技與國投集新均出資不超過4.5億元，拓荊鍵科的兩家員工持股平臺合計出資不超過1億元，上海華虹虹芯二期和海寧融創(chuàng)的出資額分別不超過3000萬元和950萬元。

增資完成后，拓荊科技對拓荊鍵科的持股比例將降至約53.57%，國投集新成為拓荊鍵科第二大股東，持股比例約為12.71%。

盡管拓荊鍵科營收規(guī)模較小且尚未盈利，但增資方對其價值展現(xiàn)了高度認可。

據(jù)公告，此次對拓荊鍵科的定價采用收益法評估結(jié)果，以2024年12月31日為評估基準日，拓荊鍵科的凈資產(chǎn)賬面價值為5521.98萬元，收益法評估后的股東全部權(quán)益價值為25.29億元，經(jīng)協(xié)商確定本次融資的投前估值為25億元，增值率4427.36%。

產(chǎn)能預計無法滿足未來需求，定增預案發(fā)力擴產(chǎn)增效

在加速發(fā)展三維集成設(shè)備之外，拓荊科技也在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。

定增預案顯示，拓荊科技計劃實施“高端半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目”，大幅提升公司高端半導體設(shè)備產(chǎn)能，支撐公司多款薄膜沉積設(shè)備系列產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化能力，并通過智能化配套設(shè)施建設(shè)，提升生產(chǎn)效率，擴大公司業(yè)務(wù)規(guī)模。

拓荊科技表示，在人工智能、高性能計算等新興領(lǐng)域的需求帶動下，晶圓廠持續(xù)進行資本開支、擴充產(chǎn)能，進而提升高端半導體設(shè)備的市場需求量。近年來，受益于下游市場需求旺盛，公司業(yè)務(wù)規(guī)模呈現(xiàn)快速增長趨勢，目前的產(chǎn)能預計無法滿足未來客戶的訂單需求。

“本項目將通過建設(shè)新產(chǎn)線的方式增加公司高端半導體設(shè)備的生產(chǎn)能力，緩解公司未來產(chǎn)能瓶頸，促進公司業(yè)務(wù)規(guī)模持續(xù)增長，最終實現(xiàn)公司可持續(xù)增長能力的有效提升。”拓荊科技表示。據(jù)介紹，“高端半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目”擬投入資金17.68億元，項目建設(shè)期5年。

此外，拓荊科技還計劃投入20億元建設(shè)“前沿技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)項目”，對現(xiàn)有薄膜沉積設(shè)備進行工藝優(yōu)化和性能提升。

拓荊科技表示，目前，國際知名半導體設(shè)備企業(yè)在國內(nèi)高端薄膜沉積設(shè)備行業(yè)的市場占有率仍然較高，我國發(fā)展起步較晚、技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，盡管近年來國內(nèi)企業(yè)不斷加強技術(shù)研發(fā)，在部分技術(shù)領(lǐng)域逐步實現(xiàn)了突破，但在工藝復雜度較高的關(guān)鍵環(huán)節(jié)仍與國際最先進水平存在著一定差距。

此外，半導體行業(yè)歷來遵循著“一代產(chǎn)品、一代工藝、一代設(shè)備”的發(fā)展規(guī)律，晶圓制造需要超前于下游應用開發(fā)新一代工藝，而半導體設(shè)備則要超前于晶圓制造開發(fā)新一代設(shè)備。不同先進芯片結(jié)構(gòu)所需要的不同薄膜材料種類、沉積工序也催生了大量的前沿技術(shù)薄膜沉積設(shè)備需求。

封面圖片來源：每日經(jīng)濟新聞 劉國梅 攝