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        力合創(chuàng)投:瑞波光電實現(xiàn)國產(chǎn)905nm EEL芯片重大技術(shù)突破

        2023-05-05 11:24:53

        每經(jīng)AI快訊,5月5日,力合創(chuàng)投官微消息,力合創(chuàng)投在孵在投企業(yè)瑞波光電作為國內(nèi)激光雷達(dá)發(fā)射芯片供應(yīng)商,日前推出具備自主核心技術(shù)的新一代3J和4J的低溫漂65W、135W、165W 905nm芯片系列,波長隨溫度變化系數(shù)小于0.09nm/K,部分型號達(dá)到0.06nm/K,在溫度漂移特性已經(jīng)接近甚至優(yōu)于VCSEL,實現(xiàn)了國產(chǎn)905nm EEL芯片的重大技術(shù)突破,填補了國內(nèi)空白,同時削弱了VCSEL的競爭優(yōu)勢。瑞波光電目前已經(jīng)與國內(nèi)多家頭部激光雷達(dá)廠商展開深度合作,并實現(xiàn)批量的應(yīng)用。(每經(jīng))

        責(zé)編 袁東

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